Últimos anúncios da Samsung aumentam o ‘Hype’ à volta do Galaxy S10


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O Galaxy S10 já não é bem um segredo, visto que os rumores começaram a chegar à Internet ainda antes do lançamento do Galaxy S9. O que é normal, porque na realidade existem mesmo várias razões para estar excitado com a chegada este smartphone que tem tudo para ser revolucionário! (Se tivermos em conta os mais recentes anúncios da Samsung.)

Dito isto, no verão mencionámos que o Galaxy S10 poderia muito bem contar com armazenamento UFS 3.0 bem como RAM LPDDR5!

O que poderá parecer bastante aborrecido para alguns consumidores… Mas é uma atualização brutal! Que irá tornar o Galaxy S10 muito mais rápido em relação qualquer outro telemóvel da linha Galaxy S.

Pois bem, o ‘leaker’ que nos trouxe esta informação acertou em parte… Porque embora o armazenamento UFS 3.0 chegue já no próximo ano, a RAM LPDDR5 só irá estar disponível em 2020.

anúncios da Samsung

E não existe grande espaço para dúvidas, porque desta vez, a informação vem diretamente da Samsung! Que subiu ao palco da conferência 4G/5G em Hong Kong com a Micron para falar sobre o futuro da memória mobile.

Em suma, o armazenamento UFS 3.0 irá estar disponível em 128GB, 256GB e 512GB. Com a Micron a mencionar que em 2021, irá também estar disponível 1TB.

Curiosamente, ficamos a saber ontem que a versão mais barata do Galaxy S10 irá contar apenas com 64GB de armazenamento… Por isso, é bem provável que esta versão conte apenas com armazenamento UFS 2.1.

A nova memória UFS 3.0 irá aumentar significativamente a velocidade em relação à antiga UFS 2.1 usada no Galaxy S9! Tecnologia que irá ser necessária, visto que as redes de nova geração 5G irão permitir aos utilizadores transferir dados muito mais rapidamente que aquilo que estamos hoje habituados.

Em paralelo, também vamos precisar de mais largura de banda, que irá chegar pelas mãos da RAM LDPDDR5, com velocidades entre os 44GB/s e os 51.2GB/s. Além disto, irá ser ainda mais eficiente, com uma redução no consumo de energia na ordem dos 20%.

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