Samsung inicia produção de memória LPDDR5 e UFS 3.0 NAND


Conforme já tinhamos referido na Leak, o  Galaxy S9 Plus da Samsung foi o smartphone mais vendido em abril, segundo o mais recente relatório Market Pulse da Counterpoint Research. Este topo de gama Android representou 2,6% das vendas globais durante o período de 30 dias, com o irmão mais pequeno – o Galaxy S9 – a alcançar a mesma percentagem geral, mas ficando em segundo lugar.

Agora e a julgar pelas informações que chegaram à Internet, as coisas deverão ficar ainda melhores com a linha Galaxy S10, especialmente no que diz respeito ao desempenho.

De acordo com o leakster @UniverseIce, a Samsung vai começar a produção em massa de RAM LPDDR5 e UFS 3.0 NAND no segundo semestre deste ano. No seguimento disto, estes dois componentes podem estrear-se em primeiro lugar no Galaxy S10.

Na prática, o UFS 3.0 terá dobro da largura de banda do UFS 2.1, com velocidades de até 23,2 Gbps (faixa única = 11,6 Gbps). Também consome menos energia e possui maior resistência à temperatura. Já no caso da memória LPDDR5, devemos esperar um aumento de 10% no desempenho e um aumento de 15% na eficiência energética.

Outras caraterísticas que deverão estar presentes no Galaxy S10, são um leitor de impressões digitais e uma tecnologia de reconhecimento facial 3D. O próximo chipset, o Exynos 9820 também deverá disponibilizar um elevado poder de processamento que vai superar significativamente o chipset Snapdragon 855 da Qualcomm.

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Bruno Fonseca
Fundador da Leak, estreou-se no online em 1999 quando criou a CDRW.co.pt. Deu os primeiros passos no mundo da tecnologia com o Spectrum 48K e nunca mais largou os computadores. É viciado em telemóveis, tablets e gadgets.

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