A rivalidade entre a TSMC e Samsung está a todo o gás! Afinal de contas, enquanto a primeira já prepara as linhas de produção de 5nm para a Apple, e as linhas de 7nm+ para a AMD e os seus Ryzen 4000 e placas gráficas RDNA 2, parece que a Samsung está a fazer o tudo por tudo para chegar mais rapidamente que a sua rival aos 3nm! Ao fim ao cabo, estamos quase a meio de 2020, e a Samsung já aponta para o lançamento dessa técnica de produção em 2022.
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A Samsung quer ultrapassar a TSMC! 3nm já em 2022!
Portanto, apesar de todos os desafios que isto traz, a Samsung está realmente apostada em oferecer linhas de produção de 3nm em 2022. Mas para isso, é preciso melhorar um pouco a tecnologia que serve de base aos transístores. É por isso que a Samsung está a trabalhar forte e feio na tecnologia Gate-All-Around FET, que irá trazer muito mais controlo aos canais dos transístores.
Dito tudo isto, a Samsung decidiu falar hoje um pouco sobre a sua tecnologia Multi Bridge Channel FET para o processo de 3nm, afirmando que irá melhorar a eficiência energética em 50%, performance em 30%, ao mesmo tempo que traz um aumento da densidade em 45%. (Em comparação com um processo de 7nm não especificado, será o da TSMC ou o da Samsung?)
Como é que temos todas estas melhorias? Pois bem, além da miniaturização dos transístores, a Samsung também os vais ’empilhar’, de forma a não só diminuir o espaço ocupado, como a performance de todo o ‘pacote’.
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