A Intel e Micron criaram uma excelente parceria, que está agora a dar frutos!
O par anunciou esta semana, o principio da produção da primeira tecnologia da indústria de memória NAND 3D 4bits/cell. Estes novos chips NAND usam a estrutura de 64 camadas, conseguindo 1TB de densidade.
Tornando este tipo de memória, a NAND com a maior densidade existente actualmente.
Além disto, a Intel e a Micron também já começaram a fazer progressos na estrutura de terceira geração 96-tier 3D NAND. Com o objetivo de conseguir um aumento de 50% nas camadas, e assim manter a Intel e a Micron na vanguarda quando se fala de densidade de memória NAND.
Ambas as tecnologias e seus avanços, usam a ‘CMOS under the array‘. Que reduz o tamanho da ‘die’, permitindo quatro planos, em vez de dois.
Em suma, isto permite à NAND da Intel e Micron, escrever/ ler mais células em paralelo, aumentando muito o desempenho da unidade!
Eu sei que tudo isto pode ser difícil de assimilar, mas o importante é perceber que estas duas empresas conseguem agora meter mais armazenamento, num espaço mais pequeno!
O que poderá originar uma queda nos preços, quando a produção em massa começar.
O Vice-Presidente do desenvolvimento tecnológico da Micron, Scott DeBoer, falou um pouco destes desenvolvimentos, dizendo:
- “Estamos a conseguir mais 33% de densidade, em comparação com a TLC”
Além de tudo isto, 1TB de memória NAND é apenas o início! Visto que as duas empresas planeiam continuar o desenvolvimento de modo a conseguir uma estrutura de 96 camadas!
Samsung vai duplicar produção de memória na China
A Samsung anunciou que está a planear duplicar a sua capacidade de produção de memória NAND na China.
O anúncio foi feito numa cerimónia numa das instalações de fabrico na província de Shaanxi, com a marca a revelar ainda que para levar os seus planos em frente irá investir cerca de 7 mil milhões de dólares nos próximos 3 anos.
- Preço da memória RAM deve baixar em 2018 – Aqui
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