Os especialistas em patentes e tecnologia dos laboratórios da TechInsights realizaram uma profunda desmontagem e análise do Samsung Galaxy Note 9.
Não há muito de novo a assinalar, uma vez que uma desmontagem menos detalhada já foi realizada no mesmo dia em que este dispositivo foi anunciado. Além disso, a Samsung fez um excelente trabalho ao destacar e explicar muitos dos componentes internos que utiliza, como as câmaras encontradas no Galaxy Note 9.
Assim, já se sabe que o fabricante de smartphones coreano incluiu um enorme dissipador de calor e o Snapdragon da Qualcomm nos Estados Unidos ou o Exynos noutros mercados.
No entanto, a desmontagem fornece algumas informações importantes acerca dos componentes escolhidos, juntamente com novas imagens.
O nova S-Pen Bluetooth também foi desmontada.
Entre os pontos mais interessantes a destacar é que a Samsung não optou por usar o módulo RAM de 10nm LPDDR4X de segunda geração para o Galaxy Note 9. Em vez disso, optou por uma instalação da sua primeira geração de SDRAM LPDDR4X a 6GB.
A nova RAM provavelmente teria sido substancialmente mais eficiente e não é possível saber porque a empresa não usou o componente.
Eventualmente, pode ser que ainda haja problemas que precisam ser resolvidos ou que o uso teria aumentado o custo total para os consumidores, acima do seu preço já elevado.
Deixando isso de lado, o uso de um chipset do Snapdragon nos Estados Unidos também significa que as soluções da Qualcomm como a gestão de energia e receptor de radiofrequência estão também presentes. Isto inclui as soluções do fornecedor para a gestão de energia ao nível do ecrã e codecs de áudio.
No entanto, o Amplificador de Áudio e outros componentes são fornecidos pela Maxim enquanto o Amplificador de Potência é feito pela Broadcom da Avago.
A NXP é responsável pela conectividade NFC do dispositivo e a Murata forneceu o módulo Wi-Fi e Bluetooth combinado do Galaxy Note 9. Presumivelmente, isto inclui o módulo Bluetooth encontrado na nova S-Pen.
Por outro lado, a Samsung também forneceu a sua própria unidade de armazenamento no Galaxy Note 9. O componente NAND Flash é uma UFS 2.1 – o KLUDG4U1EA-B0C1 da Samsung – permitindo alta taxa de transferência de banda e eficiência energética otimizada.
