AMD Ryzen 4000 (Zen 3) e motherboards X670 apenas no final de 2020! – A rival da Intel está a ter um sucesso fenomenal em 2019 com os seus Ryzen 3000 baseados na arquitetura de 7nm Zen 2. Mas a verdade é que parar é morrer… Por isso, a empresa já está a trabalhar afincadamente nos Ryzen 4000 baseados na arquitetura Zen 3 (7nm+).
A AMD apenas irá lançar a próxima geração de processadores Ryzen 4000 (Zen 3 – 7nm+) no fim do próximo ano! (Quarto trimestre de 2020)
Portanto, hoje vamos falar de duas linhas de produtos, os novos processadores AMD Ryzen mas também a plataforma que os irá acompanhar, as novas motherboards X670.
Dito isto, os Ryzen 4000 irão ser baseados na nova arquitetura Zen 3 de 7nm+ que pelos vistos irá ser um design totalmente novo em vez das anteriores arquiteturas que foram um acumular de várias melhorias ao longo dos anos. Além disto, vamos poder contar com o processo de 7nm+ da TSMC, que irá garantir uma maior eficiência energética bem como mais performance devido à miniaturização dos transístores. (+IPC, frequências mais altas e mais núcleos de processamento)
Também vamos dar as boas vindas às motherboards X670!
Similarmente, também vamos ter uma nova plataforma para suceder às super boards X570 que trouxeram o standard PCIe 4.0 para cima da mesa. Assim, as novas X670 irão reter o mesmo socket AM4, bem suporte ao standard super rápido! Mas para além disso ainda vão contar com um I/O ainda mais apetrechado, onde talvez seja possível encontrar Thunderbolt 3 apesar de ainda não ter sido confirmado.
Contudo… Como nem tudo pode ser bom, esta geração poderá ser a última a fazer uso do socket AM4! Ao fim ao cabo, temos de começar a olhar para o suporte de novas tecnologias como a memória RAM DDR5 e PCIe 5.0.
Conclusão
Em suma, mesmo que o processo de 7nm+ não ofereça o mesmo salto de performance que a passagem dos 14nm para os 7nm ofereceu.. Vamos continuar a receber algumas melhorias na performance e eficiência.
Caso não saiba, o processo de 7nm+ da TSMC utiliza tecnologia EUV! O que por sua vez, irá oferecer maior densidade de transístores (20%) bem como maior eficiência (10%).
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