Caso ainda não tenha percebido, as exigências por armazenamento estão a aumentar, e por isso mesmo, a indústria está a avançar no desenvolvimento de novas tecnologias de forma a ir de encontro à procura. O que significa isto? Bem, se acha 1TB ou 2TB muito e bom armazenamento, está na hora de começar a abrir os seus horizontes, porque isto são capacidades de armazenamento que pertencem ao passado!
A Samsung já olha para o Petabyte! (1024 TBs)
Samsung quer SSDs com 1PB (1000TB), mas só em 2030
Portanto, à medida que o armazenamento fica mais barato, e a exigência por mais e mais espaço apenas aumenta, tanto no lado das empresas, como também no lado do mais casual dos consumidores, a indústria vai dando resposta.
Claro que ainda é cedo para dar o salto do 1TB ou 2TB, para outras quantidades de armazenamento. Mas como também é óbvio, as grandes fabricantes, onde temos de destacar a Samsung, já estão mais do que prontas para o futuro que não está assim tão longe quanto isso.
Ao fim e ao cabo, na recente Flash Memory Market Summit, onde tivemos grandes fabricantes como a Micron, Kioxia, Arm, Phison, etc… A Samsung anunciou que já está a chegar ao penta-level para a sua tecnologia de memória NAND Flash 3D.
Uma tecnologia que vai abrir portas a drives de armazenamento capazes de oferecer 1 petabyte de memória (1024 terabytes). Porém, como dissemos em cima, esta meta só vai ser alcançável algures em 2030. Por isso, até lá, a Samsung quer focar-se nas células quad-level, para ser capaz de oferecer bom desempenho, e muita capacidade de armazenamento, a todo o tipo de utilizadores.
Isto é tudo muito interessante, porque caso não saiba, a Samsung não é a única a investir forte e feio no desenvolvimento.
Afinal, a Kioxia anunciou em 2019 que já tinha conseguir chegar a chips 3D NAND capazes de armazenar 5 bits por célula (5 bpc). Isto enquanto em 2021 anunciou que já tinha chegado aos 6 bits. Aliás, nessa mesma altura, a Kioxia afirmou que achava ser possível chegar até aos 8 bits, o que seria absolutamente incrível, tal é a complexidade deste desafio.
Afinal, como é óbvio, armazenar múltiplos bits por célula é um dos maiores desafios da indústria. Sendo necessário identificar novos materiais capazes de armazenar vários estados de voltagem, ao mesmo tempo que é capaz de os diferenciar sem interferências. Além disso, é também necessário desenvolver técnicas de correção de erros. Isto de forma a manter a integridade dos dados à medida que a densidade de armazenamento aumenta.
