Apesar dos preços terem descido bastante nos últimos meses, o preço da memória RAM aumentou de uma maneira nunca antes vista nos últimos dois anos.
Devido a esse aumento sem precedentes, muitos suspeitavam de algo muito estranho na indústria… Pois bem, parece que as teorias da conspiração estavam mesmo corretas!
No mês de Dezembro de 2017, os reguladores económicos Chineses começaram a investir a Samsung, SK Hynix e Micron. De modo a perceber se existiu ou não uma conspiração entre as três empresas, para fixar os preços, mantendo as suas margens de lucro altas.
Desde aí, passados quase 12 meses, os investigadores encontraram provas muito incriminatórias que metem em ‘Xeque’ as três gigantes.
Afinal de contas, se somarmos as quotas de mercado das três empresas… A Samsung, SK Hynix e Micron, controlam a maioria do mercado DRAM, com mais de 90%!
Dito isto, se as três empresas forem consideradas culpadas, vamos ver com toda a certeza a aplicação de multas recorde. Provavelmente entre os 800 milhões e os 8 mil milhões de dólares.
No entanto, os problemas para estas gigantes da indústria não terminam aqui… Porque, além deste processo, existe também uma acção legal contra as três, nos Estados Unidos, pela mesma razão.
Numa entrevista ao ‘The Financial Times’, o chefe do departamento Anti-Monopólios da China, Wu Zenghou, afirmando que a investigação fez progressos muito significativos nas últimas semanas, mencionando ainda que foram descobertas provas incriminatórias de comportamentos anti-competitivos.
Em suma, ainda não sabemos que provas são estas, nem sabemos o que vai sair daqui… Mas uma coisa é certa, desde que a investigação chegou a público, os preços da memória RAM começou a descer! Há coisas mesmo curiosas na vida não há?
RAM DDR5 – SK Hynix já completou o desenvolvimento da nova geração de memória!
Num comunicado de imprensa, a SK Hynix confirmou ontem que já terminou o desenvolvimento do seu módulo de memória RAM de 16GB DDR5.
Pois bem, a nova geração de memória RAM está em total conformidade com o ‘standard’ JEDEC, e é baseada no processo de fabrico de 10nm, permitindo uma maior eficiência e operações ainda mais rápidas, em comparação à atual geração DDR4.
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