Se antigamente tínhamos de olhar para o Japão ou Coreia do Sul para ver algumas das melhores inovações no mundo da tecnologia, agora é inegavelmente a vez da China. Aliás. basta olhar para os mais recentes chips de memória desenvolvidos na região, algo que pode mesmo vir a mudar o jogo dentro de muito em breve.
Memória capaz de 25 mil milhões de operações por segundo? Temos!
Portanto, investigadores da Universidade de Fudan anunciaram o desenvolvimento de uma nova memória flash conhecida por PoX. Chips com o potencial de mudar por completo o jogo do armazenamento, especialmente em sistemas de inteligência artificial.
25 mil milhões de operações por segundo?
Sim, leste bem. Estamos a falar de memória flash não volátil, ou seja, memória que é capaz de manter os dados mesmo sem energia, a ser capaz de atingir velocidades que normalmente ficam no lado da memória RAM (que é volátil).
Basicamente, estamos cada vez mais perto de juntar o melhor dos dois mundos: memória rápida e persistente, tudo no mesmo chip.
A nova tecnologia é capaz de executar um bit em apenas 400 picosegundos, o que claro está, equivale a 25 mil milhões de operações por segundo. Só para comparação, os melhores registos até agora nesta área andavam pelas 2 milhões de operações por segundo. Isto é um salto gigante.
Mas como é que isto é possível?
A resposta está na física. Ou melhor, na física de materiais.
A equipa liderada pelo professor Zhou Peng trocou os canais de silício convencionais por grafeno bidimensional do tipo Dirac, conhecido pelas suas propriedades de transporte de carga. Depois, manipularam o chamado “comprimento de Gauss” para criar o que chamam de superinjeção bidimensional. Resultado? Uma avalanche de carga no canal de memória, muito mais rápida do que nas soluções tradicionais.
Pode isto chegar ao consumidor?
Talvez sim, talvez não! Para já, é tudo ainda em fase de laboratório.
Mas os engenheiros já estão a trabalhar para escalar a tecnologia para arrays completos (os famosos chips em larga escala). Porém, ainda não há parceiros comerciais em cima da mesa. Ainda assim, se esta tecnologia for de facto viável a nível de produção em massa, não deve faltar muito para vermos isto em ação.
E o potencial? Bem… Desde substituir caches SRAM em chips de IA, a permitir arranques instantâneos em portáteis ou smartphones, passando ainda por sistemas de bases de dados com RAM persistente. O PoX pode dar uma volta completa ao atual ecossistema de memórias.
