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eUFS 3.0

Samsung eUFS 3.0: armazenamento mais rápido nos smartphones

Bruno Fonseca por Bruno Fonseca
27 de Fevereiro, 2019
em Sem categoria
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Os dispositivos móveis, em breve, vão ter um novo sistema de armazenamento muito mais rápido do que os atuais. A “culpa” é da Samsung que vai lançar o eUFS 3.0 em breve e que vai ser tão rápido quanto a grande maioria das solid state drives NVMe. Para já a Samsung vai disponibilizar as variantes com 128GB e 512GB. Já as de 256GB e 1TB vão chegar em breve.

eUFS 3.0: uma (r)evolução que surge em apenas dois anos

A produção em massa destes chips já começou. Mudar do standard eUFS 2.1 para o eUFS 3.0 vai garantir mais do dobro das velocidades de leitura e uma escrita 1.6 vezes  mais rápida.

eUFS 3.0

Composto por 512-gigabit V-NAND de quinta geração, as velocidades de leitura aproximam-se dos 2100MB/s, com as de escrita a situarem-se nos 410MB/s. Entretanto as velocidades aleatórias de leitura são agora nove por cento mais rápidas. Já as velociades aleatórias de escrita receberam um aumento na casa dos 36%.

Depois de revelar um chip eUFS de 512GB em 2017, lançar outro com o dobro do desempenho em apenas dois anos é sem dúvida um grande feito.

Mas vamos olhar para um caso prático, para perceber o quão rápido é esta velocidade. Imagine que quer transferir um filme Full HD para o modelo de 512GB. Ora vai conseguir fazê-lo em apenas três segundos.

Em suma, transferir grandes quantidades de dados para dispositivos móveis e a partir deles será substancialmente mais rápido. Claro que muitos utilizadores não vão conseguir tirar vantagem desta velocidade uma vez que transferem um número mais reduzido de dados. Ainda assim que lida frequentemente com a transferência de imagens ou vídeos vai dar conta.

Para atingir a velocidade máxima claro que vai necessitar de um cabo USB.

É que para igualar ou chegar perto da velocidade que se atinge com cabo seria necessária uma ligação WiFi 6. Como deve imaginar ainda não há muitos pontos de acesso destes.

Ao nível de datas, os chips eUFS 3.0 com 512 e 128GB chegam ainda este mês. Já na segunda metade do ano serão lançados os modelos com 1TB e 256GB.

Não sabemos ao certo em que smartphones é que estes chips se vão estrear. Ainda assim, se tivéssemos de apostar, diríamos o Galaxy Note 10. Será que vamos acertar?

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Bruno Fonseca

Bruno Fonseca

Fundador da Leak, estreou-se no online em 1999 quando criou a CDRW.co.pt. Deu os primeiros passos no mundo da tecnologia com o Spectrum 48K e nunca mais largou os computadores. É viciado em telemóveis, tablets e gadgets.

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