Samsung inicia a produção em massa de memória DDR4 de segunda geração


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A Samsung já se encontra a desenvolver a segunda geração da sua memória DDR4 de classe 8 gigabit produzida com tecnologia de 10 nanómetros. Na prática, esta será a base para a futura memória RAM DDR4.

Em termos práticos esta nova geração é cerca de 10% mais rápida e 15% mais eficiente que a anterior.

Os novos DDR4 de 8GB podem operar a 3,600 megabits por segundo por pin, comparativamente aos 3,200 Mbps da geração anterior.

Tudo isto significa que a Samsung já tem uma boa base para iniciar a produção de memória mais rápida, para ser utilizada em smartphones, portáteis, smartwatches e no fundo todo o tipo de equipamentos.

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