No início deste ano, a Samsung anunciou os planos de produção em massa de 16GB de memória LPDDR5 DRAM usando a sua tecnologia de produção de 10nm (1z) de terceira geração na segunda metade do ano. Dito isto, é fácil percebermos qual será a primeira grande inovação do Galaxy S30, mas já lá vamos.
Galaxy S30: esta é a primeira grande inovação!
Esta empresa revela agora que montou uma nova linha de produção nas instalações de Pyeongtaek na Coréia para iniciar a produção em massa da primeira memória DRAM LPDDR5 de 16 GB para dispositivos móveis baseada em 1z.
Ele será produzido em massa usando como referi a terceira geração da classe 10nm com tecnologia ultravioleta extrema (EUV).
De acordo com o vice-presidente executivo de Produto e Tecnologias de DRAM da empresa, Jung-bae Lee, a nova memória LPDDR5 de 16GB supera um obstáculo de desenvolvimento significativo na dimensão da DRAM e abre novas portas para a indústria. Dito de outro modo. Vai ser possível acrescentar ainda mais memória aos smartphones e ocupar menos espaço.
Vamos falar agora de velocidade. A nova memória, de acordo com a Samsung, vai garantir a maior velocidade e maior capacidade já fornecida pela memória DRAM para dispositivos móveis.
A Samsung diz que o LPDDR5 pode transferir a uma taxa de 6.400 megabits por segundo (Mb/s). Isto torna-o 16 por cento mais rápida do que a memória LPDDR5 de 12 GB que encontramos em topos-de-gama como o Galaxy Note 20.
A memória de 16 GB, em particular, pode transferir 51,2 GB de dados em apenas um segundo. Isto é o equivalente a transferir 10 conteúdos Full-HD de 5 GB.
A comercialização do processo 1z também significa que a memória LPDDR5 é 30 por cento mais fina que a antecessora.
A memória LPDDR5 pode fazer um pacote de 16 GB com apenas oito chips. Já a anterior, baseada no processo 1y, necessita de 12 chips para oferecer a mesma capacidade.
Embora seja um dado adquirido que o Galaxy S21 (S30) e os outros virão com a memória LPDDR5 de 16GB, a Samsung confirmou que não a vai limitar apenas aos seus próprios smartphones.
